谁解释一下内存时序是什么？
内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，CASLatency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CASDelay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;RASPrechargeDelay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;RowActiveDelay（tRAS），内存行地址选通延迟。
内存的默认时序是啥？
内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存四个时序分别是什么？
答：内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。
内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写。
第一个CL即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数；
第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；
第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；
第四个tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的时间。
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