背照式和堆栈式

堆栈式CMOS，背照式CMOS和传统CMOS传感器有何区别？

堆栈式CMOS、背照式CMOS和传统CMOS传感器在结构和工作原理上有所不同。

堆栈式CMOS传感器通过在像素上方堆叠多个层次的感光元件，提高了光电转换效率和动态范围。

背照式CMOS传感器将光电转换元件放置在传感器背面，避免了光线经过电路层的损失，提高了低光条件下的图像质量。

传统CMOS传感器则将光电转换元件放置在传感器前面，但由于电路层的存在，可能会有光损失和噪声。因此，这些传感器在图像质量、低光条件下的性能和动态范围等方面存在差异。

最大最基础的差别就在于其结构。影响最终成像效果不仅仅靠CMOS，还需要考虑镜头以及拍照算法等。其实并不是越先进的结构越好，这要看用了什么工艺（比如180nm沉浸式光刻还是500nm干刻）和技术（比如索尼“Exmor”每列并列独立的模拟CDS+数模转换+数字CDS的标志性的降噪读出回路）。

1. 堆栈式CMOS、背照式CMOS和传统CMOS传感器有区别。
2. 堆栈式CMOS传感器是一种将像素和信号处理电路堆叠在一起的技术，可以提高像素数量和图像质量。
背照式CMOS传感器是一种将光敏元件放置在电路背面的设计，可以提高光线收集效率。
传统CMOS传感器则是将像素和信号处理电路分开制造的。
3. 堆栈式CMOS传感器相比传统CMOS传感器具有更高的像素数量和更好的图像质量，但制造成本较高。
背照式CMOS传感器相比传统CMOS传感器具有更高的光线收集效率，适用于低光条件下的拍摄。
传统CMOS传感器在制造成本和光线收集效率方面相对较低，但仍然是常见的传感器技术。

传统CMOS传感器、背照式CMOS和堆栈式CMOS的区别在于其结构不同。传统CMOS传感器是前照式的，由上到下依次是片上透镜、滤光片、金属排线（电路）和感光层；而背照式CMOS传感器则是将电路层放到了光电二极管后面，这样，光线就能直接照到光电二极管上，光线几乎没有阻挡和干扰地就下到光电二极管，光线利用率极高；而堆栈式CMOS传感器则是把信号回路位置互换，比背照式的体积更小，画质方面也是作了更好的优化 。

1、堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方，进光量会因受到遮挡而减少，因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转，光线首先进入感光二极管，这样就增大了感光量，从而显著提高低光照条件下的拍摄效果；

2、背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素，一个像素点的面积可以被放大，所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害，因而高感也就更强大，而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作，一个像素点的面积不会变大，因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差，高感也就弱；

3、虽然堆栈式CMOS的高感不如背照式CMOS，但堆栈式CMOS接收的像素点是原始像素点，而背照式CMOS接收的放大后的像素点，因而在低感光度下堆栈式CMOS的锐度更高，而高感下背照式CMOS的噪点更少。